拓荆科技股份有限公司(简称“拓荆科技”或“公司”)成立于2010年4月,2022年4月20日在上海证券交易所科创板成功挂牌上市(股票代码:688072)。公司自成立以来,一直在高端半导体设备领域深耕,并专注于薄膜沉积设备的研发和产业化应用,形成了以 PECVD(等离子体增强化学气相沉积)、ALD(原子层沉积)、SACVD(次常压化学气相沉积)及HDPCVD(高密度等离子体化学气相沉积)为主的薄膜设备系列产品,在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造及先进封装等领域得到广泛应用。此外,公司推出了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备(Hybrid Bonding)系列产品。
经过十余年的创新发展,公司已成为国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD、SACVD、HDPCVD设备厂商,也是国内领先的ALD设备厂商。公司已建成一支国际化、专业化的半导体设备研发技术团队,并坚持自主创新,构建了完善的知识产权体系,拥有多项国际先进的核心技术,设备性能及关键指标均达到国际同类设备水平。
公司以建立“世界领先的薄膜设备公司”为愿景,坚持以技术和产品创新驱动业务发展,通过持续加大研发投入,保持产品核心竞争力,凭借已有的技术、人才、经验及售后服务等优势,不断扩大公司业务规模。同时,面向市场技术的迭代需求,公司将持续提升设备性能,丰富设备种类,拓展技术应用领域,提高公司综合实力,为产业发展做出更大的贡献。
上证路演中心开场
网络文字互动问答
嘉宾结束致辞
吕光泉先生
董事长
拓荆科技股份有限公司
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赵国庆先生
独立董事
拓荆科技股份有限公司
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可视化财报
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