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新洁能成立于2013年，自成立以来，公司一直专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售，为国内半导体功率器件设计领域龙头企业。

公司基于全球半导体功率器件先进理论技术，进行领先产品的开发，是国内第一个掌握并运用超结理论技术，量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的公司。

公司产品优质且系列齐全，已构建了沟槽型MOSFET（Trench MOSFET）、屏蔽栅MOSFET（SGT MOSFET）、超结MOSFET（SJ MOSFET）、IGBT四大工艺平台，并已陆续推出SiC MOSFET/GaN HEMT/功率模块/智能功率驱动IC等新产品。目前产品型号超1500款，电压覆盖12V~1700V全系列，是国内MOSFET品类最齐全且产品技术领先的公司，公司产品广泛应用于汽车电子、光伏逆变和光伏储能、数据中心、5G通讯、工业电源、安防、机器人电机控制、变频家电、农用无人机、医疗设备、锂电保护、消费电子等领域。

公司已建立江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心、江南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心。公司连续6年荣获半导体功率器件十强企业，且参与的“智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用”项目获得了2019年度江苏省科学技术一等奖，且获得2020年度国家技术发明二等奖。