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尊敬的投资者您好，公司于2022年12月16日在上海证券交易所科创板上市，2022年收入21.75亿元，归属于上市公司股东的净利润4.62亿元，2023年收入21.27亿元，归属于上市公司股东的净利润4.52亿元，2024年1-6月收入6.17亿元，归属于上市公司股东的净利润-1513万元，2024年上半年业绩下滑主要受市场变化、部分产品价格下降及需求下滑等多种因素的影响。在当前激烈的市场竞争环境下，燕东微始终坚持创新为核心的发展战略，积极开发新产品及新工艺平台，持续扩大市场规模，深耕硅光芯片领域，不断加大新品研发投入，积极推动产品更新换代，实施产品结构调优，提升综合竞争力。

尊敬的投资者您好，在当前激烈的市场竞争环境下，燕东微将继续坚持创新为核心的发展战略，不断加大新品研发投入，积极开发新产品及新工艺平台，由传统的消费类市场向新能源、工业、汽车等新领域转移，不断提升公司综合竞争力。2024年上半年公司部分在研项目进展及阶段性成果如下： （1）6 英寸SiC芯片研发项目：进一步优化了产品的参数性能，多款产品产出优化后的样品， MOSFET工艺平台完成部分关键工艺优化； （2）IGBT技术升级项目：消费类沟槽型IGBT、车规级IGBT完成开发并实现批量生产； （3）沟槽分离栅MOSFET（SGT）工艺平台开发项目：100V SGT 已实现量产，目前正在结合快充应用场景对现有技术平台进行迭代升级和拓展； （4）热成像工艺平台开发项目：完成热成像工艺平台首款产品终端验证，实现了消费类热成像应用； （5）12 英寸硅光 SOI工艺平台开发项目：完成版图设计，开展工艺验证，已完成核心工艺技术复杂图形光刻工艺、低侧壁粗糙度刻蚀工艺验证； （6）磁耦合数字隔离器开发项目：完成电感隔离结构电路设计、版图设计，完成 MPW流片，电路功能正常； （7）硅高频功率MOS 场效应晶体管的系列化研发项目：2 款硅高频LDMOS产品小批量试生产；5款硅高频LDMOS产品评测合格，通过客户验证；2 款LDMOS新产品导入中； （8）54AC 项目：新增完成1款54AC系列产品的鉴定检验。累计完成15款54AC系列产品鉴定检验； （9）高压大功率驱动电路工艺平台研发项目：完成一款芯片功能验证，发布 PDK0.1； （10）12 英寸0.18um 40V/100V 工业驱动芯片工艺研发项目：确定了两个平台的器件清单及器件结构，完成两个平台初版flow制定； （11）多电压档超高压BCD 工艺平台研发项目：完成不同电压档（5V~600V）器件结构设计、tapeout准备工作、flow流程搭建，核心工艺开发； （12）模拟开关系列研发项目：完成6款模拟开关产品鉴定检验，14款完成流片，评测中，9款流片中。 2024年上半年实现了硅光工艺平台产品的量产，这一里程碑式的成就标志着公司在硅光技术领域的重大突破。硅光产品凭借其集成度高、成本低、功耗低等优势，已成功应用于光通信、光互连、激光雷达等多个关键领域。未来，燕东微将继续深耕硅光芯片领域，加大科研投入，推动技术创新与产业升级，积极回报投资者。

尊敬的投资者您好，公司二季度营业收入较一季度基本持平，由于受市场变化、部分产品价格下降及需求下滑多种因素的影响，二季度较一季度净利润有所下降，公司管理层积极调整现有产线产品结构，推进产品结构转型升级，持续加大研发投入，2024年上半年研发费用11,332.63万元，同比增长1,876.78万元，在研发强度的推动下，公司取得了如下研发成果： （1）12英寸晶圆生产线高密度功率器件具备批量稳定量产能力，良率达到98.5%以上； （2）基于8英寸、12英寸晶圆生产线持续提升高密度功率器件沟槽图形化工艺能力，比导通电阻性能提升10%以上，导通电阻达到业内先进水平； （3）车规级IGBT工艺平台实现批量生产； （4）基于超高压700VBCD工艺平台基础，实现22款产品规模化量产； （5）基于8英寸晶圆生产线，完成CMOS工业用电机驱动电路量产； （6）1200VSiCSBD产品完成技术迭代，功率密度达到国内先进水平；1200VSiCMOS产品完成关键工艺优化，导通电阻、漏电流等主要参数达到行业主流产品水平； （7）基于现有SiN硅光工艺平台，完成5款新产品研制，转入量产实现稳定供货； （8）完成通用逻辑系列产品量产交付；32通道总线收发器产品通过客户验证； （9）完成5V/40V SOI CMOS工艺平台搭建，代表产品通过可靠性认证； （10）在射频领域拓展方面，完成13.56MHz射频电源千瓦级产品的研制，实现量产交付。 公司在上半年实现了硅光工艺平台产品的量产，同时在8英寸相关硅光产品方面也实现了市场化销售，未来，燕东微将继续深耕硅光芯片领域，加大科研投入，推动技术创新与产业升级，公司将积极拓展产品应用领域，持续扩大市场规模，提高运营效率与经营效益。

尊敬的投资者您好，在当前激烈的市场竞争环境下，燕东微将继续坚持创新为核心的发展战略，不断加大新品研发投入，积极开发新产品及新工艺平台，由传统的消费类市场向新能源、工业、汽车等新领域转移，不断提升公司综合竞争力。2024年上半年公司部分在研项目进展及阶段性成果如下： （1）6 英寸SiC芯片研发项目：进一步优化了产品的参数性能，多款产品产出优化后的样品， MOSFET工艺平台完成部分关键工艺优化； （2）IGBT技术升级项目：消费类沟槽型IGBT、车规级IGBT完成开发并实现批量生产； （3）沟槽分离栅MOSFET（SGT）工艺平台开发项目：100V SGT 已实现量产，目前正在结合快充应用场景对现有技术平台进行迭代升级和拓展； （4）热成像工艺平台开发项目：完成热成像工艺平台首款产品终端验证，实现了消费类热成像应用； （5）12 英寸硅光 SOI工艺平台开发项目：完成版图设计，开展工艺验证，已完成核心工艺技术复杂图形光刻工艺、低侧壁粗糙度刻蚀工艺验证； （6）磁耦合数字隔离器开发项目：完成电感隔离结构电路设计、版图设计，完成 MPW流片，电路功能正常； （7）硅高频功率MOS 场效应晶体管的系列化研发项目：2 款硅高频LDMOS产品小批量试生产；5款硅高频LDMOS产品评测合格，通过客户验证；2 款LDMOS新产品导入中； （8）54AC 项目：新增完成1款54AC系列产品的鉴定检验。累计完成15款54AC系列产品鉴定检验； （9）高压大功率驱动电路工艺平台研发项目：完成一款芯片功能验证，发布 PDK0.1； （10）12 英寸0.18um 40V/100V 工业驱动芯片工艺研发项目：确定了两个平台的器件清单及器件结构，完成两个平台初版flow制定； （11）多电压档超高压BCD 工艺平台研发项目：完成不同电压档（5V~600V）器件结构设计、tapeout准备工作、flow流程搭建，核心工艺开发； （12）模拟开关系列研发项目：完成6款模拟开关产品鉴定检验，14款完成流片，评测中，9款流片中。 2024年上半年实现了硅光工艺平台产品的量产，这一里程碑式的成就标志着公司在硅光技术领域的重大突破。硅光产品凭借其集成度高、成本低、功耗低等优势，已成功应用于光通信、光互连、激光雷达等多个关键领域。未来，燕东微将继续深耕硅光芯片领域，加大科研投入，推动技术创新与产业升级，积极回报投资者。

尊敬的投资者您好，公司于2022年12月16日在上海证券交易所科创板上市。感谢您的关注。

尊敬的投资者您好，公司一直聚焦主业，努力提升经营质量，加快12英寸新建产能爬坡速度，根据市场需求并结合已有6英寸及8英寸生产线的整体资源配置情况，不断调整产品结构，提高产能利用率；同时，公司高度重视研发投入，不断增强核心竞争力，2023年研发投入2.95亿元，研发投入总额占营业收入比例为13.92%，同比增长5.96%。另外，公司不断加强人才队伍建设，持续加强人才引进。 股票价格受宏观经济、行业政策、行业估值、市场波动、投资者情绪等多重因素影响，目前公司生产经营一切正常，公司会持续关注市场动态，并做好经营管理，努力提升经营业绩，争取更好的回报广大投资者。感谢您的关注！

尊敬的投资者您好，硅光芯片与传统的集成电路芯片为互补关系，在各自的领域有其自身的优势。硅光技术近些年来发展很快，在光通信、激光雷达扫描、AI大数据等领域得到了广泛的应用，但是在纯光计算、光存储等领域尚在理论探索和原型机阶段，还有很多技术难题需要攻克。在可以预见未来的一段时间内，硅光芯片与集成电路芯片将共同发展。

尊敬的投资者您好，公司主营业务包括产品与方案和制造与服务两大类。公司产品与方案板块的产品包括分立器件及模拟集成电路、特种集成电路及器件。公司制造与服务板块聚焦于提供半导体开放式晶圆制造和封装测试服务。公司已经根据市场情况开展硅光工艺平台建设，目前公司基于SiN 硅光工艺平台已实现关键突破，传输损耗＜0.1dB/cm，并实现一款激光雷达和一款光通信产品的量产，产品良率达 95%以上；正在导入多款可应用于 O-Band、C-Band 不同波段下的通信类产品；SOI 硅光工艺平台完成了关键器件工艺开发。

尊敬的投资者您好，公司12吋募投项目未发生变化情况，投产产品包括高密度功率器件 TMBS 和 Trench MOS 产品等。

尊敬的投资者您好，公司将硅光工艺平台做为公司重要研发项目，全面聚焦自主可控硅光芯片制造领域，突破厚 SiN 波导淀积、低 应力、低损耗、复杂图形的光刻、刻蚀等关键工艺，打造兼容 CMOS 工艺的基于国产化装备的 SiN 硅光芯片量产平台。 依托 8 英寸集成电路晶圆生产线，公司不断探索硅光技术的边界，成功推出了基于 SiN 硅光 工艺平台的光开关与激光雷达产品，波导传输损耗＜0.1dB/cm，并实现了量产。